Керамическая подложка из нитрида кремния для электроники

Керамическая подложка из нитрида кремния для электроники

Керамическая подложка из нитрида кремния для электроники представляет собой специализированный тип керамического материала, используемый в различных промышленных применениях, где требуются высокая прочность, долговечность и термическая стабильность. Он состоит из комбинации кремния, азота и других элементов, которые придают ему уникальные механические, термические и химические свойства.

Керамическая подложка Si3N4 обладает исключительной механической прочностью, что делает ее очень устойчивой к износу и повреждениям от ударов и сжатия. Он также обладает высокой термостойкостью и способен выдерживать быстрые изменения температуры, не растрескиваясь и не ломаясь. Это делает его идеальным для использования в высокотемпературных отраслях, таких как аэрокосмическая, автомобильная промышленность и других областях, где необходим отвод тепла.

В дополнение к своим механическим и термическим свойствам керамическая подложка Si3N4 также обеспечивает отличную электроизоляцию и хорошую коррозионную стойкость в суровых условиях. Он используется в электронике и полупроводниковых устройствах, таких как силовые модули и высокотемпературная электроника, благодаря превосходным теплоотводным и изоляционным свойствам.

В целом, керамическая подложка из нитрида кремния Si3N4 представляет собой исключительный материал с широким спектром применений. Его исключительная механическая прочность, термическая стабильность, электрическая изоляция и химическая стойкость делают его идеальным для различных промышленных и электронных приложений, где надежность и эффективность являются решающими факторами.

Керамическая подложка из нитрида кремния Torbo® для электроники

Товар: подложка из нитрида кремния

Материал: Си3Н4

Цвет:Серый

Толщина: 0,25-1 мм

Обработка поверхности: двойная полировка

Объемная плотность: 3,24 г/м2.

Шероховатость поверхности Ra: 0,4 мкм

Прочность на изгиб: (3-точечный метод): 600-1000 МПа.

Модуль упругости: 310ГПа.

Вязкость разрушения (метод IF): 6,5 МПа･√м

Теплопроводность: 25°C 15-85 Вт/(м･K)

Коэффициент диэлектрических потерь: 0,4

Объемное сопротивление: 25°C >1014 Ом･㎝

Прочность на разрыв: DC> 15㎸/㎜